【美股新聞】DRAM製造商擴大先進製程投資，HBM產能優先

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圖/Shutterstock

放大鏡短評

三大DRAM供應商對先進製程的擴展和HBM的優先生產反映了市場對高效能記憶體需求的增長。然而，這也帶來了潛在的供應鏈風險，特別是在DRAM市場。CMoney研究團隊認為HBM的需求將隨著AI發展持續增加，搭配上較低的良率，DRAM產能擴展很難跟上，因此可能會導致DRAM市場出現供應短缺，進而推動價格上漲。投資者應關注這一動態，特別是那些在先進製程、HBM和DRAM領域具有競爭優勢的公司。

新聞資訊

由於HBM需求增加及先進製程的優先佈局，DRAM供應可能面臨短缺。

擴大先進製程投入

根據TrendForce報告，三大DRAM供應商正增加先進製程的晶圓投入。隨著記憶體合約價格上漲，企業提升資本支出，重點放在今年下半年擴產。預計到年底，1alpha nm及以上製程的晶圓投入將占總DRAM晶圓投入的約40%。

優先生產高利潤的HBM

由於其高盈利性和需求增加，HBM生產將被優先考慮。然而，HBM的產量受限，良率僅約50-60%(較DRAM低30%左右)，且所需晶圓面積比DRAM產品大60%，這意味著需要更多的晶圓投入。基於各公司的矽穿孔(TSV)產能，預計HBM到年底將占先進製程晶圓投入的35%，其餘產能將用於生產LPDDR5(X)和DDR5產品。

HBM3e成為市場主流

TrendForce指出，HBM3e今年將成為市場主流，出貨集中在下半年。目前，SK hynix是主要供應商，與美光(MU)共同利用1beta nm製程，已開始向Nvidia(NVDA)出貨。三星則使用1alpha nm製程，預計第二季完成認證並於年中開始交付。

DDR5和LPDDR5(X)需求增長

除了HBM需求增加外，PC、伺服器和智能手機的單位記憶體含量增長，推動了先進製程的消耗。伺服器特別是AI伺服器，記憶體含量高達1.75 TB。隨著英特爾(Intel)的Sapphire Rapids和AMD的Genoa等新平台的量產，DDR5滲透率預計在年底超過50%。

產能分配成關鍵

由於HBM3e出貨集中在下半年，與記憶體需求高峰期重合，市場對DDR5和LPDDR5(X)的需求也將增加。然而，2023年的財務損失使製造商在擴產計劃上變得謹慎。由於更大比例的晶圓投入被分配給HBM生產，先進製程的輸出將受到限制。因此，下半年產能分配將成為決定供應能否滿足需求的關鍵。

DRAM供應短缺的潛在風險

HBM生產的優先考慮可能導致DRAM供應短缺。如果先進製程的產能擴展不足，這一風險將更為顯著。目前，各公司新廠計劃如下：三星預計現有設施到2024年底將全面運營，新的P4L廠房將於2025年完成，而Line 15設施將進行製程轉換至1beta nm及以上。SK hynix的M16廠房產能預計明年擴展，M15X廠房也計劃於2025年完成，並在明年年底開始量產。美光在台灣的設施將於明年恢復全面運營，未來擴展重點在美國。Boise設施預計2025年完成，隨後安裝設備並計劃於2026年量產。

儘管新廠房計劃於2025年完成，但量產的確切時間仍不確定，取決於2024年的盈利能力。這種對未來利潤的依賴，強化了製造商今年維持記憶體價格上漲的承諾。此外，輝達的GB200計劃於2025年量產，將搭載HBM3e 192/384 GB，有可能使HBM產量翻倍。隨著HBM4的開發在即，如果沒有重大投資來擴大產能，HBM的優先考慮可能導致DRAM供應因產能限制而不足。