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放大鏡短評
三星將與台積電(TSM)合作開發HBM4，並且最快預計於明年下半年量產HBM4，這個時間點比SK海力士所宣布在2026年量產還來的早，可見三星想扳回一城的野心強大。台積電在晶圓代工領域的技術實力或能大幅提升HBM4的研發進程，並為三星在這一市場中的競爭提供助力。如果三星在規劃的時程內量產，將有機會提前SK海力士取得HBM4的訂單需求。加上三星也計畫推出客製化的記憶體解決方案，因此三星有機會獲得獲利率更高的訂單，進一步縮小與SK海力士的獲利差距。投資人應密切關注三星HBM4的開發進展。
新聞資訊
三星與台積電首次合作，開發無緩衝HBM4
三星電子和台積電(TSM)將首次聯手開發次世代高頻寬記憶體「HBM4」。根據韓國媒體《韓國經濟日報》與《Business Korea》的報導，台積電的生態與聯盟管理負責人 Dan Kochpatcharin 於《SEMICON Taiwan 2024》上確認了這項合作，並指出 HBM 的製程越來越複雜，因此與夥伴的合作變得重要。這次合作的目標是開發無緩衝(bufferless)的 HBM4 晶片。三星計劃於 2025 年開始量產 HBM4，並藉由這次合作為輝達(NVDA)、Google(GOOGL)等 AI 晶片客戶提供量身定制的解決方案。
HBM 技術對AI發展的重大影響
HBM(高頻寬記憶體)是一種先進的 DRAM 技術，與傳統記憶體相比，它的處理速度要快得多，因此成為 AI 領域不可或缺的關鍵技術，是推動 AI 高速運算和深度學習的重要基石。三星、SK海力士及美光(MU)等記憶體大廠正競相研發並預計於 2025 年推出量產版 HBM4。
全球記憶體市場競爭白熱化
目前SK海力士在 HBM 市場中佔據領先地位，根據 TrendForce 的數據，其市佔率達到53%，而三星則以35%位居第二。三星此次與台積電的合作，主要是為了縮小與SK海力士的差距。值得注意的是，SK海力士早在2024年4月就已宣布與台積電合作開發 HBM4，並計劃於2026年開始量產。三星與台積電合作的 HBM4 將從第六代 HBM 技術入手，並希望利用台積電的技術優勢，提供符合市場需求的客製化晶片方案。台積電的技術在高效能晶粒製造和先進封裝領域擁有領先地位，而三星則將其強大的DRAM製造技術融入其中。
三星的HBM戰略與未來展望
三星電子的記憶體事業部總裁Jung-bae Lee在《SEMICON Taiwan 2024》上指出，為了充分發揮 AI 晶片的潛力，客製化的 HBM 解決方案是最佳選擇。他強調，三星不僅將繼續開發 DRAM 技術，還將提供一站式服務，從 DRAM 生產到邏輯晶粒(logic die)製造及先進封裝服務一應俱全。
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